Как проверить кт117а мультиметром

Содержание

  • С чего начать?
  • Проверка биполярного транзистора мультиметром
  • Проверка работоспособности полевого транзистора
  • Проверка составного транзистора
  • Как проверить однопереходной транзистор
  • Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?
  • С чего начать?
  • Проверка биполярного транзистора мультиметром
  • Проверка работоспособности полевого транзистора
  • Проверка составного транзистора
  • Как проверить однопереходной транзистор
  • Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?
  • Транзисторы КТ117
  • Параметры однопереходного транзистора.
  • Принцип работы однопереходного транзистора.
  • Схема тиристорного регулятора на однопереходном транзисторе.

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

  • Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
  • Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.
  • Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

  • Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.
  • Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

  • Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
  • Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.
  • Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

    Проверка работоспособности полевого транзистора

    Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

    Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

    Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

  • Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
  • Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
  • Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
  • Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
  • Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.
  • Читайте также:  Как пользоваться беспроводной зарядкой для айфона

    Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

    Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

    Рис 5. IGBT транзистор SC12850

    Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

    В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

    Проверка составного транзистора

    Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

    Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

    Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

    Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

    Обозначение:

    • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
    • Л – лампочка.
    • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h21Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

    Тестирование производится следующим образом:

  • Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
  • Подаем минус – лампочка гаснет.
  • Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

    Как проверить однопереходной транзистор

    В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

    Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

    Проверка элемента осуществляется следующим образом:

    Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

    Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

    Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

    Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

    С чего начать?

    Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

    Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

    Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

    Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

    Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

    Читайте также:  Как залить фото в инстаграм через компьютер

    Проверка биполярного транзистора мультиметром

    Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

    С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

    Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

    Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

  • Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
  • Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.
  • Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

  • Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.
  • Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

  • Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
  • Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.
  • Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

    Проверка работоспособности полевого транзистора

    Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

    Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

    Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

  • Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
  • Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
  • Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
  • Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
  • Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.
  • Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

    Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

    Рис 5. IGBT транзистор SC12850

    Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

    В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

    Проверка составного транзистора

    Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

    Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

    Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

    Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

    Обозначение:

    • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
    • Л – лампочка.
    • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h21Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

    Читайте также:  Как настроить nat на ps4

    Тестирование производится следующим образом:

  • Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
  • Подаем минус – лампочка гаснет.
  • Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

    Как проверить однопереходной транзистор

    В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

    Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

    Проверка элемента осуществляется следующим образом:

    Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

    Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

    Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

    Транзисторы КТ117

    КТ117 представляет из себя специальный полупроводниковый прибор, так называемый — однопереходный транзистор.
    КТ117 предназначен для работы в генераторах, в качестве переключателя малой мощности. Коллектора у однопереходного транзистора нет, а есть эмиттер и две базы — 1 и 2.

    Схема эквивалентная однопереходному транзистору КТ117 выглядит вот так:

    А схема звукового генератора собранная на КТ117 может выглядеть вот таким образом:

    Схема получается гораздо проще, поскольку один КТ117 заменяет здесь два обычных биполярных транзистора.

    Параметры однопереходного транзистора.

    Максимальный ток эмиттера — у КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г — 30мА.

    Напряжение между базами — у всех КТ117 — 30в.

    Напряжение между базой 2 и эмиттером — у всех КТ117 — 30в.

    Максимальная рассеиваемая мощность — у всех КТ117 — 300мВт.

    Межбазовое сопротивление:

    У КТ117А,Б — от 4 до 9 кОм.
    У КТ117В,Г — от 8 до 12 кОм.

    Максимальная рабочая частота — у всех КТ117 — 200кГц.

    Коэффициент передачи — отношение напряжения включения к напряжению между базами: У КТ117А — от 0,5 до 0,7
    У КТ117Б — от0,65 до 0,9
    У КТ117В — от 0,5 до 0,7
    У КТ117Г — от 0,65 до 0,9

    Корпус транзистора пластиковый или металло-стекляный. Маркировка буквенно — цифровая.

    Принцип работы однопереходного транзистора.

    Итак, любой однопереходный транзистор содержит в себе один p-n переход, что и вобщем то и так понятно — из его названия. Если переход один, откуда у него тогда три электрода, и как он вообще работает? На кристалле полупроводника однородной проводимости, на некотором расстоянии друг от друга имеются омические контакты — База1(Б1) и База2(Б2). Между ними находится область p-n перехода — контакт с полупроводником противоположной проводимости, омический контакт которого является — эмиттером.

    Обычно, принцип действия однопереходного транзистора рассматривают с помощью несложной эквивалентной схемы.

    R1 и R2 здесь — сопротивления между выводами Б1 и Б2, а V1 — эмиттерный p-n переход. Согласно данной схемы через R1 и R2 будет течь ток,причем падение напряжения на R1 будет смещать диод в обратном направлении. Таким образом, диод будет закрыт, пока на эмиттер не будет подано прямое напряжение превышающее величину падения напряжения на R1. Как только такое напряжение подано, диод открывается и начинает пропускать ток в прямом направлении. При этом сопротивление R1 еще более уменьшается — снижается напряжение падения. Происходит лавинообразный процесс открывания транзистора.

    Схема тиристорного регулятора на однопереходном транзисторе.

    На рисунке ниже — схема тиристорного регулятора, с лампой накаливания в виде нагрузки.

    R1 — 100 КОм — переменный, мощностью 0,5 Вт, любого типа.
    Резисторы R2 — 3 КОм, R3 — 1 КОм, R4 — 100 Ом, R5 — 30 КОм — МЛТ.
    VD1 — стабилитрон Д814В
    VD2 — КД105Б
    VD3 — КД202Р
    VS1 — КУ202Н
    Конденсатор С1 — 0,1МФ 400В., любого типа.
    Транзистор VT1 — КТ117А
    Плавкий предохранитель 0.5 — 1.5 Ампер(в зависимости от мощности лампы.)

    Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

    Источник: hololenses.ru

    Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
    Ваш домашний советник
    Добавить комментарий